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Nanostructures unidimensionnelles en carbure de silicium

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Laurence Latu-Romain - Nanostructures unidimensionnelles en carbure de silicium - Disponible chez votre libraire et chez Amazon


Laurence Latu-Romain, Université Joseph Fourier, Grenoble
Maelig Ollivier, Imperial College, Londres


sous la direction de Michel Pons
Collection Nanosciences et nanotechnologies

dirigée par Robert Baptist

112 pages - Octobre 2014
Ouvrage papier : 33,00 EUR
ISBN : 978-1-78405-065-8 (papier)
ISBN : 978-1-78406-065-7 (ebook)

Les nanostructures unidimensionnelles (1D) en carbure de silicium (SiC) sont des objets séduisants pour la communauté scientifique du fait de l'association des propriétés du matériau et des basses dimensionnalités. Le carbure de silicium a en effet des propriétés physico-chimiques et électroniques très intéressantes, notamment du fait de sa biocompatibilité. Les nanostructures 1D comme les nanofils et les nanotubes sont remarquables grâce à leur rapport surface sur volume élevé et leurs propriétés parfois exceptionnelles par rapport à celles du matériau massif.

Consacré aux nanostructures 1D en SiC, cet ouvrage explicite les propriétés et les différentes méthodes d’élaboration de ces nanostructures. Il détaille la carburation de nanofils de silicium, un procédé de croissance original permettant d’obtenir des nanofils coeur-coquille Si-SiC et des nanotubes SiC de très bonne qualité cristalline, grâce à la maîtrise de l’exo-diffusion du Si. Les possibles applications de ces nanostructures sont également étudiées.

 

Les auteurs

Maître de conférences à l’Université Joseph Fourier, Laurence Latu-Romain s’intéresse aux matériaux nanostructurés semiconducteurs depuis leur élaboration jusqu’à leurs caractérisations.
Maelig Ollivier mène des recherches en métallurgie à l'Imperial College of London.

 

Sommaire

1. Introduction
2. Propriétés des nanostructures unidimensionnelles à base de SiC
3. Etat de l'art de la croissance de nanostructures unidimensionnelles à base de SiC
4. Un procédé de croissance original : la carburation de nanofils de Si
5. Technologies autour de nanostructures unidimensionnelles à base de SiC
6. Conclusion

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